中国光刻机追赶国外先进水平还要多久?

中国光刻机追赶国外先进水平，预计需要5到10年。目前国内在28纳米工艺上取得突破，但7纳米以下仍有差距。荷兰ASML的EUV光刻机垄断高端市场，我们需攻克光源、镜头等核心技术。中科院、上海微电子等机构加大研发投入，每年专利申请量增长超30%。

国产光刻机已用于中芯国际等生产线，但良率和产能仍需提升。美国技术封锁反而加速自主创新，华为、中芯等企业联合攻关。光刻机产业链涉及2万多个精密零件，每一步都不能出错。只要持续投入，5年内实现14纳米量产，10年赶上国际先进水平并非难事。