氮化镓外延片的硅片衬底是什么?

氮化镓外延片的硅片衬底是硅，这种材料成本低、尺寸大，适合大规模生产。比如6英寸或8英寸的硅片，能同时制造多个芯片，提高效率。硅的热导率好，散热快，避免器件过热。硅的导电性也不错，能简化电路设计。

不过硅和氮化镓的晶格常数不匹配，外延生长时会产生缺陷，需要缓冲层技术解决。像华为、小米的快充充电器，就用了这种硅基氮化镓芯片，体积小、功率大。汽车电子里的逆变器也常用它，散热好、可靠性高。手机快充头从18W升级到120W，背后就是硅衬底氮化镓技术的功劳。