mos管损坏内部是短路还是击穿的?

MOS管损坏内部多数是击穿，短路情况较少。比如电源电路里，MOS管因电压过高导致栅极氧化层被击穿，源漏极间形成低阻通路。电机驱动中，MOS管因电流过大发热，芯片内部结构熔毁造成击穿。充电器里的MOS管，浪涌电压冲击下容易发生雪崩击穿。

短路一般发生在极端情况，比如短路电流瞬间超过极限值，或静电放电导致栅极损坏引发短路。维修时用万用表测，击穿显示阻值接近零，短路则完全导通。实际应用中，80%以上损坏是击穿，多因电压或电流应力超标。