晶体管制造工艺上的特点是什么?

晶体管制造工艺的核心在于精细的图案化和多层堆叠。光刻技术将纳米级电路图案精确转移到硅片上，蚀刻工艺去除多余材料形成沟道结构。离子注入机掺杂不同元素，改变硅片导电性，形成源极、漏极和栅极。化学气相沉积在表面生长绝缘层，物理气相沉积覆盖金属连线。

每个步骤误差控制在几纳米内，确保10亿个晶体管功能一致。高温退火修复晶格缺陷，增强器件稳定性。清洗工序去除微粒污染，防止短路。整个流程涉及20多道工序，在超净车间完成，空气洁净度比手术室高100倍。这种微米级精度控制，让指甲盖大小的芯片容纳数十亿个晶体管，支撑现代电子设备运行。